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浅谈MEMS器件

时间:2018-05-19 16:43:55

  MEMS器件很快在射频性能上超过固态电子器件,即使早期的MEMS器件在20GHz时的开态插入损耗也只有0.15dB,在相同频率下的一个典型GaAs-FET或PIN二极管的插入损耗接近1dB。
  在低于1GHz频率的应用情况中,固态电子开关仍然是首选。它们很便宜、低损耗、易于集成,应用广泛。固态电子开关在千兆赫兹以上时,损耗开始增加,并变得难于集成进开关。这时候MEMS开关的优势就变得明显起来。它们既没有固态电子开关快,可靠性也不高,但它们在电气性能上比固态电子开关更胜一筹。MEMS开关即使在40GHz时,插入损耗也很容易达到0.1dB。开关时间一般在几十微秒,循环次数达到几十亿次。近年来,处理功率达到几瓦的开关也已被报道。