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0 Hz/DC 至 5GHz、单刀单掷 MEMS开关

  • 产品介绍

    产品特性：
    · 完全工作频率低至 0 Hz/DC
    · 超长驱动寿命：10 亿次
    · 低插入损耗：0.3 dB(典型值,5GHz)
    · 高隔离度：38 dB(典型值,5GHz)
    · 高线性度IIP3：69 dBm(典型值)
    · 导通切换时间：30 μs(典型值)
    · 射频(RF)功率额度值：30 dBm(最大)
    · 导通电阻：0.5 Ω （典型值）
    · 电源电压：DC 30 V 至 50 V（标称值）
    · 零功耗工作

    典型性能 产品应用
    完全工作频率 低至 0 Hz/DC 继电器替代方案
    自动测试设备(ATE)：RF/数字/混合信号
    负载/探针板：RF/数字/混合信号
    RF 测试仪表
    可重复配置型滤波器/衰减器
    高性能RF 开关
    驱动寿命 109 周期（最小值）
    带宽 5 GHz（典型值）
    插入损耗 0.35 dB（典型值，5 GHz）
    隔离度 30 dB（典型值，5 GHz）
    高线性度IIP3 69 dBm（典型值）
    导通切换时间 30 μs（典型值）
    射频(RF)功率额定值 30 dBm（最大）
    导通电阻 0.5 Ω（典型值）
    下拉电压 DC 30 V ~ 50 V（标称值）
    工作温度 -25 ℃ ~ 85 ℃
    机械冲击 MIL-STD-883，M5005 1500g，0.5ms
    振动实验 50g 正弦扫描，20 Hz ~ 2000 Hz
    封装形式 QFN 封装